Просмотр атомных структур атомов примеси в трехмерном пространстве, связанных с электрической активностью в полупроводнике.
С помощью комбинации спектро-фотоэлектронной голографии, измерений электрических свойств и моделирования динамики из первых принципов удалось успешно выявить трехмерные атомные структуры легирующих примесей в кристалле полупроводника. Потребность в лучшем понимании атомной структуры легирующих добавок в полупроводниках ощущалась давно, главным образом потому, что текущие ограничения на активные концентрации легирующей примеси являются результатом дезактивации избыточных атомов легирующей примеси путем образования различных типов кластеров и других дефектных структур. …